光谷產(chǎn)業(yè)投資被投企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 3D NAND 成功打入華為 Mate 40 供應(yīng)鏈

11 月 20 日，2020 年北京微電子國際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行，光谷產(chǎn)業(yè)投資被投企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。

楊士寧表示：雖然長(zhǎng)存的 64 層 3DNAND 只是我們第一個(gè)產(chǎn)品，但是這顆產(chǎn)品已經(jīng)做到了 Mate40 的旗艦機(jī)里面，在這里面我們看到了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈彼此協(xié)同合作和未來長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展機(jī)會(huì)。

此外，楊士寧還展示了 Xtacking 技術(shù)，表示：在這一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國際最前沿的；長(zhǎng)存的技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國際；同時(shí)也要感謝國產(chǎn)同行的支持。他還表示，目前只有帶有 Xtacking 標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國產(chǎn)閃存芯片（長(zhǎng)存芯片）。

此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也公布了自己的路線圖，“長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3 年走了其他人 6 年走過的路”長(zhǎng)存的 128 層存儲(chǔ)（TLC/QLC）正在推進(jìn)。楊士寧表示 “我說我們不做最后一名，我們肯定不做最后一名，但我跟我們比的都是有三四十年歷史的。雖然我還沒有宣布，但下一代，爭(zhēng)取在下一代走到最前沿，爭(zhēng)取作第一第二名?！?/p>

光谷產(chǎn)業(yè)投資被投企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)頭者，主要業(yè)務(wù)為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存與 NAND Flash 制造。